A série TIS™580-10 é dealcoholized, 1 componente, esparadrapo termicamente condutor do silicone da cura da temperatura ambiente. Possui a boas condução e adesão de calor para componentes eletrônicos. Pode ser curada a um elastómetro mais alto da dureza, conduz ao unido firmemente carcaças às resultantes mais baixa para baixo a impedância térmica. Assim, a transferência térmica entre o fonte de calor, dissipador de calor, cartão-matriz, embalagem do metal tornar-se-á eficaz. A série TIS™580-10 possui a condutibilidade térmica alta, isolação elétrica excelente e é pronto para uso. A série TIS™580-10 tem a adesão excelente a revestir, o alumínio, o de aço inoxidável, etc. Porque este é um sistema dealcoholized, não corroerá, especialmente, superfícies de metal.
Característica
> Boa condutibilidade térmica: 1.0W/mK
> Boa maneabilidade e boa adesão
> Baixo encolhimento
> A baixa viscosidade, conduz a superfície vago-livre
> Boa resistência solvente, resistência de água
> Vida ativa mais longa
> Resistência de choque térmico excelente
Aplicação
Usou-se principalmente em substituir a pasta e almofadas termicamente-condutoras, que encontra atualmente em esparadrapos deenchimento ou condução de calor entre o cartão-matriz do diodo emissor de luz e o dissipador de calor de alumínio, módulo do poder superior e dissipador de calor bondes. Os métodos tradicionais tais como aletas e fixação dos parafusos podem ser substituídos aplicando TIS580-13, resultando uma condução térmica deenchimento mais segura, manipulação simplificada e mais eficaz na redução de custos.
E.g. Aplicação maciça nos circuitos integrados no laptop, o microprocessador, o diodo emissor de luz do poder superior, o módulo de armazenamento interno, o esconderijo, os circuitos integrados, o tradutor de DC/AC, o IGBT e os outros módulos de poder, a capsulagem dos semicondutores, os interruptores do relé, os retificadores e os transfomers
| Caixas e dissipadores de calor do semicondutor |
| Põe os resistores e o chassi, os termostatos e as superfícies de acoplamento, e dispositivos refrigerando termoelétricos |
| Processadores centrais e GPUs |
| Dispensar e tela-impressão automáticas |
| Móbil, desktop |
| Módulos de controle do motor e da transmissão |
| Módulos da memória |
| Equipamento da conversão de poder |
| Fontes e UPS de alimentação |
| Semicondutores do poder |
| Microplaquetas feitas sob encomenda de ASICS |
| Transistor bipolares integrados (IGBT) da porta |
| Entre algum calor que gera o semicondutor e o dissipador de calor |
| Módulos de poder feitos sob encomenda |
| Telecomunicações e eletrônica automotivo |
| Fonte de alimentação do diodo emissor de luz |
| Controlador do diodo emissor de luz |
| Luzes do diodo emissor de luz |
| Diodo emissor de luz Ceilinglamp |
| Valores típicos de TISTM580-10 |
| Aparência |
Pasta branca |
Teste o método |
| Densidade (g/cm3,25℃) |
1,3 |
ASTM D297 |
| tempo Aderência-livre (minuto, 25℃) |
≤20 |
***** |
| Tipo da cura (1-component) |
Dealcoholized |
***** |
| ℃ Brookfield de Viscosity@25 (Uncured) |
cps 20K |
ASTM D1084 |
| Tempo de cura total (d, 25℃) |
3-7 |
***** |
| Alongamento (%) |
≥150 |
ASTM D412 |
| Dureza (costa A) |
25 |
ASTM D2240 |
| Força de tesoura do regaço (MPa) |
≥2.0 |
ASTM D1876 |
| Força de casca (N/mm) |
>3.5 |
ASTM D1876 |
| Temperatura da operação (℃) |
-60~250 |
***** |
| Resistividade de volume (Ω·cm) |
2.0×1016 |
ASTM D257 |
| Força dielétrica (KV/mm) |
21 |
ASTM D149 |
| Constante dielétrica (1.2MHz) |
2,9 |
ASTM D150 |
| Condutibilidade térmica com (m·K) |
1,0 |
ASTM D5470 |
| Retardação da chama |
UL94 V-0 |
E331100 |
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